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KTM13 系列

TMR 磁阻开关 ​

TMR 阻桥与 ASIC 单芯片集成,平行磁场感应,回差可小于 3 高斯

1.8 ~ 5.5 V电压
160 nA @ 3 V功耗
最高 5000 Hz频率
-40 ~ 125 ℃温度
KTM13 系列

产品概述 ​

KTM13 系列将 TMR 阻桥与 ASIC 集成在单芯片中,阻桥阻抗随平行穿过的磁场强度与角度变化,配合磁铁即可实现非接触式位置检测。相比霍尔传感器精度更高(回差可小于 3 高斯),对磁场平行感应,并可通过不同方向的 TMR 桥阻配合实现 360° 两维感应,主要用于不同感应角度以及低功耗、高频感应的场合。

系列类型覆盖全极型(KTM1301、KTM1302、KTM1304)、单 S 极(KTM1311)、单 N 极(KTM1321)与锁存型(KTM1331),电源电压 1.8 ~ 5.5 V,平均功耗 160 nA @ 3 V 至 1.9 μA @ 3.0 V,工作频率 50 Hz / 1600 Hz / 5000 Hz,工作温度 -40 ~ 125 ℃。

测量类型位置检测位移检测速度检测
KTM13 系列 产品图

核心特点 ​

01

高精度

回差可小于 3 高斯

02

平行感应

对平行磁场敏感,配合不同方向桥阻实现 360° 两维感应

03

纳安级功耗

平均功耗低至 160 nA @ 3 V

04

高频性能

工作频率最高 5000 Hz,高磁灵敏度

05

多种类型

全极、单 S 极、单 N 极与锁存型

06

多档阈值

每个型号提供多档 BOP / BRP 阈值

07

输出与封装

CMOS / 开漏输出,SOT-23-3L、TO-92S 等封装

规格参数 ​

先按磁极响应选类型(全极、单 S 极、单 N 极或锁存型),再在 50 Hz、1600 Hz、5000 Hz 中按工作频率与平均功耗选型号,按 BOP / BRP 选阈值档位;开漏输出为 KTM1302,DFN2*2-3L 封装为 KTM1304。

全极型(1/6)5 个型号KTM1301TA、KTM1301MA、KTM1301SA、KTM1301TB、KTM1301MB
参数KTM1301TAKTM1301MAKTM1301SAKTM1301TBKTM1301MB
供电电压1.8 ~ 5.5 V
平均功耗1.9 μA @ 3.0 V600 nA @ 3 V160 nA @ 3 V1.9 μA @ 3.0 V600 nA @ 3 V
工作频率5000 Hz1600 Hz50 Hz5000 Hz1600 Hz
BOP±45±45±45±30±30
BRP±36±36±36±21±21
输出接口CMOS
工作温度-40 ~ 125 ℃
封装SOT-23-3L / TO-92S
工作电压1.8~5.5V
封装形式SOT-23-3L
TO-92S
全极型(2/6)5 个型号KTM1301SB、KTM1301TC、KTM1301MC、KTM1301SC、KTM1301TD
参数KTM1301SBKTM1301TCKTM1301MCKTM1301SCKTM1301TD
供电电压1.8 ~ 5.5 V
平均功耗160 nA @ 3 V1.9 μA @ 3.0 V600 nA @ 3 V160 nA @ 3 V1.9 μA @ 3.0 V
工作频率50 Hz5000 Hz1600 Hz50 Hz5000 Hz
BOP±30±18±18±18±9
BRP±21±12±12±12±6
输出接口CMOS
工作温度-40 ~ 125 ℃
封装SOT-23-3L / TO-92S
工作电压1.8~5.5V
封装形式SOT-23-3L
TO-92S
全极型(3/6)5 个型号KTM1301MD、KTM1301SD、KTM1301TE、KTM1301ME、KTM1301SE
参数KTM1301MDKTM1301SDKTM1301TEKTM1301MEKTM1301SE
供电电压1.8 ~ 5.5 V
平均功耗600 nA @ 3 V160 nA @ 3 V1.9 μA @ 3.0 V600 nA @ 3 V160 nA @ 3 V
工作频率1600 Hz50 Hz5000 Hz1600 Hz50 Hz
BOP±9±9±7±7±7
BRP±6±6±4±4±4
输出接口CMOS
工作温度-40 ~ 125 ℃
封装SOT-23-3L / TO-92S
工作电压1.8~5.5V
封装形式SOT-23-3L
TO-92S
全极型(4/6)5 个型号KTM1302TA、KTM1302SA、KTM1302TB、KTM1302SB、KTM1302TC
参数KTM1302TAKTM1302SAKTM1302TBKTM1302SBKTM1302TC
供电电压1.8 ~ 5.5 V
平均功耗1.9 μA @ 3.0 V160 nA @ 3 V1.9 μA @ 3.0 V160 nA @ 3 V1.9 μA @ 3.0 V
工作频率5000 Hz50 Hz5000 Hz50 Hz5000 Hz
BOP±45±45±30±30±18
BRP±36±36±21±21±12
输出接口开漏输出
工作温度-40 ~ 125 ℃
封装SOT-23-3L / TO-92S
工作电压1.8~5.5V
封装形式SOT-23-3L
TO-92S
全极型(5/6)5 个型号KTM1302SC、KTM1302TD、KTM1302SD、KTM1302TE、KTM1302SE
参数KTM1302SCKTM1302TDKTM1302SDKTM1302TEKTM1302SE
供电电压1.8 ~ 5.5 V
平均功耗160 nA @ 3 V1.9 μA @ 3.0 V160 nA @ 3 V1.9 μA @ 3.0 V160 nA @ 3 V
工作频率50 Hz5000 Hz50 Hz5000 Hz50 Hz
BOP±18±9±9±7±7
BRP±12±6±6±4±4
输出接口开漏输出
工作温度-40 ~ 125 ℃
封装SOT-23-3L / TO-92S
工作电压1.8~5.5V
封装形式SOT-23-3L
TO-92S
全极型(6/6)3 个型号KTM1304SB、KTM1304SD、KTM1304SE
参数KTM1304SBKTM1304SDKTM1304SE
供电电压1.8 ~ 5.5 V
平均功耗160 nA @ 3 V
工作频率50 Hz
BOP±30±9±7
BRP±21±6±4
输出接口CMOS
工作温度-40 ~ 125 ℃
封装DFN2*2-3L
工作电压1.8~5.5V
封装形式DFN2*2-3L
单S极(1/2)5 个型号KTM1311TA、KTM1311SA、KTM1311TB、KTM1311SB、KTM1311TC
参数KTM1311TAKTM1311SAKTM1311TBKTM1311SBKTM1311TC
供电电压1.8 ~ 5.5 V
平均功耗1.9 μA @ 3.0 V160 nA @ 3 V1.9 μA @ 3.0 V160 nA @ 3 V1.9 μA @ 3.0 V
工作频率5000 Hz50 Hz5000 Hz50 Hz5000 Hz
BOP4545303018
BRP3636212112
输出接口CMOS
工作温度-40 ~ 125 ℃
封装SOT-23-3L / TO-92S
工作电压1.8~5.5V
封装形式SOT-23-3L
TO-92S
单S极(2/2)3 个型号KTM1311SC、KTM1311TD、KTM1311SD
参数KTM1311SCKTM1311TDKTM1311SD
供电电压1.8 ~ 5.5 V
平均功耗160 nA @ 3 V1.9 μA @ 3.0 V160 nA @ 3 V
工作频率50 Hz5000 Hz50 Hz
BOP1899
BRP1266
输出接口CMOS
工作温度-40 ~ 125 ℃
封装SOT-23-3L / TO-92S
工作电压1.8~5.5V
封装形式SOT-23-3L
TO-92S
单N极(1/2)5 个型号KTM1321TA、KTM1321SA、KTM1321TB、KTM1321SB、KTM1321TC
参数KTM1321TAKTM1321SAKTM1321TBKTM1321SBKTM1321TC
供电电压1.8 ~ 5.5 V
平均功耗1.9 μA @ 3.0 V160 nA @ 3 V1.9 μA @ 3.0 V160 nA @ 3 V1.9 μA @ 3.0 V
工作频率5000 Hz50 Hz5000 Hz50 Hz5000 Hz
BOP-45-45-30-30-18
BRP-36-36-21-21-12
输出接口CMOS
工作温度-40 ~ 125 ℃
封装SOT-23-3L / TO-92S
工作电压1.8~5.5V
封装形式SOT-23-3L
TO-92S
单N极(2/2)3 个型号KTM1321SC、KTM1321TD、KTM1321SD
参数KTM1321SCKTM1321TDKTM1321SD
供电电压1.8 ~ 5.5 V
平均功耗160 nA @ 3 V1.9 μA @ 3.0 V160 nA @ 3 V
工作频率50 Hz5000 Hz50 Hz
BOP-18-9-9
BRP-12-6-6
输出接口CMOS
工作温度-40 ~ 125 ℃
封装SOT-23-3L / TO-92S
工作电压1.8~5.5V
封装形式SOT-23-3L
TO-92S
锁存型(1/3)5 个型号KTM1331TA、KTM1331MA、KTM1331SA、KTM1331TB、KTM1331MB
参数KTM1331TAKTM1331MAKTM1331SAKTM1331TBKTM1331MB
供电电压1.8 ~ 5.5 V
平均功耗1.9 μA @ 3.0 V600 nA @ 3 V160 nA @ 3 V1.9 μA @ 3.0 V600 nA @ 3 V
工作频率5000 Hz1600 Hz50 Hz5000 Hz1600 Hz
BOP4545453030
BRP-45-45-45-30-30
输出接口CMOS
工作温度-40 ~ 125 ℃
封装SOT-23-3L / TO-92S
工作电压1.8~5.5V
封装形式SOT-23-3L
TO-92S
锁存型(2/3)5 个型号KTM1331SB、KTM1331TC、KTM1331MC、KTM1331SC、KTM1331TD
参数KTM1331SBKTM1331TCKTM1331MCKTM1331SCKTM1331TD
供电电压1.8 ~ 5.5 V
平均功耗160 nA @ 3 V1.9 μA @ 3.0 V600 nA @ 3 V160 nA @ 3 V1.9 μA @ 3.0 V
工作频率50 Hz5000 Hz1600 Hz50 Hz5000 Hz
BOP301717179
BRP-30-17-17-17-9
输出接口CMOS
工作温度-40 ~ 125 ℃
封装SOT-23-3L / TO-92S
工作电压1.8~5.5V
封装形式SOT-23-3L
TO-92S
锁存型(3/3)5 个型号KTM1331MD、KTM1331SD、KTM1331TE、KTM1331ME、KTM1331SE
参数KTM1331MDKTM1331SDKTM1331TEKTM1331MEKTM1331SE
供电电压1.8 ~ 5.5 V
平均功耗600 nA @ 3 V160 nA @ 3 V1.9 μA @ 3.0 V600 nA @ 3 V160 nA @ 3 V
工作频率1600 Hz50 Hz5000 Hz1600 Hz50 Hz
BOP99555
BRP-9-9-5-5-5
输出接口CMOS
工作温度-40 ~ 125 ℃
封装SOT-23-3L / TO-92S
工作电压1.8~5.5V
封装形式SOT-23-3L
TO-92S
以下 22 项参数存在两种标注,选型前请以产品手册为准
  • KTM1301「平均功耗」:1.9 μA @ 3.0 V 或 1.9 μA @ 3.0 V 600 nA @ 3 V 160 nA @ 3 V
  • KTM1301「工作频率」:5000 Hz 或 5000 Hz 1600 Hz 50 Hz
  • KTM1301「BOP」:±45 或 ±45 ±30 ±18 ±9 ±7
  • KTM1301「BRP」:±36 或 ±36 ±21 ±12 ±6 ±4
  • KTM1311「平均功耗」:1.9 μA @ 3.0 V 或 1.9 μA @ 3.0 V 160 nA @ 3 V
  • KTM1311「工作频率」:5000 Hz 或 5000 Hz 50 Hz
  • KTM1311「BOP」:45 或 45 30 18 9
  • KTM1311「BRP」:36 或 36 21 12 6
  • KTM1321「平均功耗」:1.9 μA @ 3.0 V 或 1.9 μA @ 3.0 V 160 nA @ 3 V
  • KTM1321「工作频率」:5000 Hz 或 5000 Hz 50 Hz
  • KTM1321「BOP」:-45 或 -45 -30 -18 -9
  • KTM1321「BRP」:-36 或 -36 -21 -12 -6
  • KTM1331「平均功耗」:1.9 μA @ 3.0 V 或 1.9 μA @ 3.0 V 600 nA @ 3 V 160 nA @ 3 V
  • KTM1331「工作频率」:5000 Hz 或 5000 Hz 1600 Hz 50 Hz
  • KTM1331「BOP」:45 或 45 30 17 9 5
  • KTM1331「BRP」:-45 或 -45 -30 -17 -9 -5
  • KTM1302「平均功耗」:1.9 μA @ 3.0 V 或 1.9 μA @ 3.0 V 160 nA @ 3 V
  • KTM1302「工作频率」:5000 Hz 或 5000 Hz 50 Hz
  • KTM1302「BOP」:±45 或 ±45 ±30 ±18 ±9 ±7
  • KTM1302「BRP」:±36 或 ±36 ±21 ±12 ±6 ±4
  • KTM1304「BOP」:±30 或 ±30 ±9 ±7
  • KTM1304「BRP」:±21 或 ±21 ±6 ±4
TMR 感应方向
TMR 感应方向

技术文档 ​

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应用案例 ​

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